ABB 5SHX2645L0001 3BHL000389P0101 MODULE IGCT

ABB 5SHX2645L0001 3BHL000389P0101 MODULE IGCT

IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) est un dispositif électronique de puissance haute performance, haute tension et haute puissance qui combine les caractéristiques d'un GTO (thyristor à commutation de porte et MOSFET) et d'un MOSFET (oxyde métallique -Transistor à effet de champ semi-conducteur).

Caractéristique

Faibles pertes de commutation : l'IGCT peut fonctionner jusqu'à 4 fois la fréquence de fonctionnement des dispositifs électriques traditionnels, ce qui le rend adapté aux applications haute fréquence

Circuits auxiliaires simplifiés : l'IGCT peut fonctionner sans circuit d'amortissement, réduisant ainsi le nombre de composants et améliorant la fiabilité et l'efficacité du système

Faible puissance d'entraînement de grille : l'IGCT a une faible puissance d'entraînement de grille, ce qui réduit la consommation d'énergie

Haute fiabilité : l'IGCT a une stabilité à haute température et une bonne capacité de blocage inverse, ce qui convient aux applications haute tension et haute puissance

Scénarios d'application

L'IGCT est largement utilisé dans la transmission CC haute tension, l'entraînement moteur et d'autres domaines. En raison de ses faibles pertes de commutation et de sa bonne capacité de court-circuit, l'IGCT fonctionne bien dans les applications nécessitant une gestion de puissance élevée.